快闪存储器的形成方法

摘要

一种快闪存储器的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成核心区的浮栅、浮栅之间基底中的第一沟槽，和外围区栅极、栅极之间基底中的第二沟槽，及浮栅、栅极上的停止层、停止层上的硬掩模层；形成介电材料层；化学机械研磨介电材料层、硬掩模层，相邻浮栅之间的介电材料层为第一介电层，相邻栅极之间的介电材料层为第二介电层；在第二介电层上形成保护层，之后以保护层为掩模，清洗去除外围区残留的硬掩模层部分；刻蚀去除停止层，在该过程也刻蚀去除保护层；图形化第一介电层形成浅沟槽隔离结构。快闪存储器的性能较佳，且产品良率满足量产要求。

主权项

一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括核心区和外围区；在所述基底上形成核心区多个浮栅、相邻两浮栅之间基底中的第一沟槽，和所述外围区的多个栅极、相邻两栅极之间基底中的第二沟槽，和位于所述浮栅上、栅极上的停止层、位于所述停止层上的硬掩模层，所述浮栅宽度小于栅极宽度且第一沟槽宽度小于第二沟槽宽度；形成介电材料层，所述介电材料层覆盖所述硬掩模层、填充满第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽、第二沟槽中的介电材料层具有高出硬掩模层的部分；化学机械研磨所述介电材料层、硬掩模层至所述停止层停止，相邻两浮栅之间剩余的介电材料层部分作为第一介电层，相邻两栅极之间剩余的介电材料层部分作为第二介电层；在所述第二介电层上形成保护层，之后以所述保护层为掩模，清洗去除所述外围区残留的硬掩模层部分；刻蚀去除所述停止层，在该过程中，也刻蚀去除所述保护层；在刻蚀去除停止层后，图形化所述第一介电层形成浅沟槽隔离结构。