| 发明名称 | 氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及钝化层，所述源漏极层包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极和漏极，所述栅极绝缘层的内部或与有源层相邻的栅极绝缘层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或有源层的表层或内部含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或钝化层的内部或与源漏极层相邻的钝化层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素。该氧化物半导体薄膜晶体管能防止氢与有源层中的氧结合形成氧空位，防止氧化物半导体薄膜晶体管性能劣化的现象发生。 | ||
| 申请公布号 | CN104752516A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310737670.7 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 | 发明人 | 刘胜芳;平山秀雄 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 唐清凯 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层以及钝化层，所述源漏极层包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的源极和漏极，其特征在于，所述栅极绝缘层的内部或与有源层相邻的栅极绝缘层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或有源层的表层或内部含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素，和/或钝化层的内部或与源漏极层相邻的钝化层的表层含有阻止氢与有源层中的氧结合的氢捕获元素。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 | ||