| 发明名称 |
记忆体装置以及记忆体装置中之电荷捕捉结构的形成方法;MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING CHARGE-TRAPPING STRUCTURE IN MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
本发明揭露一种记忆体装置中之电荷捕捉结构的形成方法，此方法包括下述步骤。形成一闸极氧化物与闸极电极于一半导体基板上。在闸极氧化层上执行底切蚀刻。在一含氮环境中进行回火。在闸极氧化层之两侧建立数个漏斗状开口部。在基板表面上共形地形成电荷捕捉结构。 |
| 申请公布号 |
TW201526116 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW103106927 |
申请日期 |
2014.03.03 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
卢棨彬 LU, CHI PIN |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |
