发明名称 解码方法、记忆体储存装置、记忆体控制电路单元;DECODING METHOD, MEMORY STORAGE DEVICE, AND MEMORY CONTROLLING CIRCUIT UNIT
摘要 本发明提出一种解码方法、记忆体储存装置与记忆体控制电路单元。此解码方法包括:根据第一读取电压读取至少一个记忆胞以取得至少一个第一验证位元;根据第一验证位元执行硬位元模式解码程序,并且判断硬位元模式解码程序是否产生第一有效码字;若硬位元模式解码程序没有产生第一有效码字,取得记忆胞的储存资讯;根据储存资讯决定一电压个数;根据符合电压个数的多个第二读取电压来读取记忆胞以取得多个第二验证位元;以及根据第二验证位元执行软位元模式解码程序。藉此,可以增加解码的速度。; executing a hard bit mode decoding procedure according to the first verification bit; and determining if the hard bit mode decoding procedure generates a first valid codeword; if the hard bit mode decoding procedure does not generate the first valid codeword, obtaining storage information of the memory cell; deciding a voltage number according to the storage information; reading the memory cell according to second reading voltages matching the voltage number to obtain second verification bits; executing a soft bit mode decoding procedure according to the second verification bits. Accordingly, a decoding speed is increased.
申请公布号 TW201526004 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW102149310 申请日期 2013.12.31
申请人 群联电子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 发明人 林纬 LIN, WEI;严绍维 YEN, SHAO WEI;林玉祥 LIN, YU HSIANG;赖国欣 LAI, KUO HSIN
分类号 G11C16/08(2006.01) 主分类号 G11C16/08(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号 TW