厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器

摘要

本发明的目的在于以低成本提供耐硫化性和耐焊锡熔蚀性均优良的不含铅的厚膜导体形成用组合物。本发明涉及一种用于形成作为芯片电阻器的电极使用的厚膜导体的组合物。本发明的组合物，作为导电粉末含有Ag粉末，作为氧化物粉末含有SiO₂-B₂O₃-Al₂O₃-CaO-Li₂O系玻璃粉末和Al₂O₃粉末，作为添加物添加有碳粉末。相对于导电粉末100质量份，碳粉末为1～10质量份，玻璃粉末为0.1～15质量份，Al₂O₃粉末为0.1～8质量份。所述玻璃粉末的组成比率为，SiO₂：20～60质量％；B₂O₃：2～25质量％；Al₂O₃：2～25质量％；CaO：20～50质量％；以及Li₂O：0.5～6质量％。

主权项

一种耐硫化性厚膜导体形成用组合物，其是用于形成作为芯片电阻器的上面电极使用的耐硫化性厚膜导体的组合物，并且其由导电粉末、氧化物粉末、添加物和有机载体构成，其特征在于，作为所述导电粉末使用Ag粉末或相对于Ag粉末100质量份添加0.1～5质量份选自Au、Pd和Pt中的至少一种的粉末，作为所述氧化物粉末使用含有SiO₂－B₂O₃－Al₂O₃－CaO－Li₂O系玻璃粉末和Al₂O₃粉末的粉末，作为所述添加物添加有碳粉末，并且，相对于所述导电粉末100质量份，添加所述碳粉末3～7质量份、所述SiO₂－B₂O₃－Al₂O₃－CaO－Li₂O系玻璃粉末0.1～15质量份、所述Al₂O₃粉末0.1～8质量份，并且，所述SiO₂－B₂O₃－Al₂O₃－CaO－Li₂O系玻璃粉末的组成比为，SiO₂：20～60质量％；B₂O₃：2～25质量％；Al₂O₃：2～25质量％；CaO：20～50质量％；以及Li₂O：0.5～6质量％。