发明名称 |
利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法 |
摘要 |
本发明公开一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法,具体如下:(a)清洗衬底;(b)在衬底表面生成金属纳米颗粒;(c)在衬底表面沉积一层氧化物薄膜;(d)衬底表面再次沉积金属纳米颗粒;(e)将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀,即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底;本发明利用ALD在金属颗粒之间引入均一的纳米级厚度的氧化物,再通过化学腐蚀的方法去除部分氧化物,以此来制备纳米级的金属间隙,并用来作为表面增强拉曼散射基底,该方法步骤简单、重复性好、成本低廉,所得基底具有优异的表面增强拉曼散射性能。 |
申请公布号 |
CN104746049A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201510089462.X |
申请日期 |
2015.04.07 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
李爱东;曹燕强;朱琳;曹正义;吴迪 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
江苏圣典律师事务所 32237 |
代理人 |
贺翔;杨文晰 |
主权项 |
一种利用ALD制备金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底的方法,其特征在于,具体步骤如下:(a)分别依次以丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水超声清洗衬底;(b)利用磁控溅射或电子束蒸镀方法在衬底表面沉积一层3‑10nm的金属薄膜,然后在氮气氛围下,将金属薄膜在400‑800℃进行10‑60s的快速退火,生成3‑10nm金属纳米颗粒; 或者利用ALD方法在衬底表面沉积一层厚度为5‑10nm的金属纳米颗粒;(c)将衬底转移至ALD反应腔中,沉积2‑20nm的氧化物薄膜,所述氧化物为Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO、或SiO<sub>2</sub>;(d)再次利用磁控溅射或电子束蒸镀方法在衬底表面沉积一层3‑10nm的金属薄膜,然后在氮气氛围下,将金属薄膜在400‑800℃进行10‑60s的快速退火,生成3‑10nm金属纳米颗粒; 或者利用ALD在衬底表面沉积一层厚度为5‑10nm的金属纳米颗粒;(e)将衬底置于酸性溶液或碱性溶液中腐蚀60‑300s,即获得金属纳米间隙的表面增强拉曼散射基底。 |
地址 |
210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 |