存储器件及其形成方法

摘要

一种存储器件及其形成方法，其中，存储器件的形成方法包括：提供表面具有存储单元的衬底，存储单元包括：第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层和第一掩膜层；在存储单元的侧壁表面形成第二掩膜层，第二掩膜层覆盖第一介质层、浮栅层和第二介质层的侧壁、以及控制栅层靠近浮栅层的部分侧壁；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，去除部分控制栅层，使暴露出的部分控制栅层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；在去除部分控制栅层之后，以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，采用自对准硅化工艺在暴露出的控制栅层侧壁表面、以及暴露出的衬底表面形成电接触层。所形成的存储器件性能改善。

主权项

一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有存储单元，所述存储单元包括：位于衬底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二介质层、位于第二介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层；在所述存储单元的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖第一介质层、浮栅层和第二介质层的侧壁、以及控制栅层靠近浮栅层的部分侧壁；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，去除部分控制栅层，使暴露出的部分控制栅层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；在去除部分控制栅层之后，以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，采用自对准硅化工艺在暴露出的控制栅层侧壁表面、以及暴露出的衬底表面形成电接触层；在所述衬底、存储单元和第二掩膜层表面形成阻挡层、以及位于所述阻挡层表面的第三介质层，所述第三介质层和阻挡层内具有开口，所述开口至少暴露出衬底表面的电接触层；在所述开口内形成导电结构。