发明名称 |
或逻辑和与非逻辑器件的结构及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种或和与非逻辑器件的结构,或逻辑器件制作在接地的p阱或p型衬底中,上面有两个并联并紧邻的门控栅,各自控制其下两个相邻并并联的n型导电沟道;在沿着两个门控栅交界线的方向上,在门控栅两端有高掺杂n型源区和漏区,作为两个沟道的引出端;门控栅上各有一个多晶硅栅极,两个多晶硅栅极相互电学隔离并独立引出,作为或逻辑的两个输入端。与非逻辑器件和或逻辑器件结构类似,不同的是制作在n阱或n型衬底中,源漏区为高掺杂p型。本发明还公开了上述结构的或和与非逻辑器件的制作方法。本发明通过设计新型的或和与非逻辑器件结构,不仅简化了器件和电路结构,减小了电路面积和制造成本,而且使电路的时序控制更为简单。 |
申请公布号 |
CN104752418A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310752395.6 |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
吴兵;王永成;戴有江 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H03K19/173(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
或逻辑器件的结构,其特征在于,制作在p阱或p型衬底中,p阱或p型衬底接地,上面有两个并联并紧邻的门控栅,各自控制其下两个相邻并并联的n型导电沟道;在沿着两个门控栅交界线的方向上,在门控栅的两端有高掺杂n型源区和漏区,作为两个n型导电沟道的引出端;门控栅上各有一个多晶硅栅极,两个多晶硅栅极相互电学隔离并独立引出,作为或逻辑的两个输入端。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |