FLASH芯片及应对FLASH芯片异常掉电的擦除或编程方法

摘要

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种FLASH芯片及应对FLASH芯片异常掉电的擦除或编程的方法；其中，所述应对FLASH芯片异常掉电的擦除或编程方法包括：读取FLASH芯片中掉电保护单元；当掉电保护单元存储有地址信息时，获取地址信息；地址信息为FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，掉电保护单元记录的当前擦除区域的地址信息；根据地址信息，对地址信息对应的存储阵列中区域进行过擦除修正；以及当过擦除修正完成后，对FLASH芯片进行擦除或编程。本发明提供的方法，利用掉电保护单元记录的地址信息，在FLASH芯片异常掉电后再次进行擦除或编程时，对地址信息所对应区域中存储单元进行过擦除修正，减少了存储阵列中较大漏电流存储单元的数量，提高FLASH芯片的可靠性。

主权项

一种FLASH芯片，包括控制逻辑单元，输入输出接口单元和缓冲器；所述输入输出接口单元连接于所述缓冲器；所述缓冲器连接于所述控制逻辑单元，用于接收擦除、编程或读取指令及数据地址；其特征在于，还包括：掉电保护单元，所述掉电保护单元连接于所述控制逻辑单元，用于FLASH芯片在擦除过程中异常掉电时，记录FLASH芯片存储阵列中当前擦除区域的地址信息；以及在FLASH芯片擦除或编程前，对所述地址信息所对应的存储阵列中区域进行过擦除修正。