| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种集成电路及其制造方法。集成电路包括：第一多晶硅区形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅区形成在该基底上，具有与该第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。本发明所公开的集成电路及其制造方法，可以有效地改善由激光快速热退火工序所引发的多晶硅电阻器之间的电阻值不匹配的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104752419A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201410790417.2 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 钟元甫;胡楚威;钟元鸿 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 张金芝;代峰 |
| 主权项 | 一种集成电路，其特征在于，包括：第一多晶硅区形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅区形成在该基底上，具有与该第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||