发明名称 |
成像设备和成像系统 |
摘要 |
公开了成像设备和成像系统。多个像素电路中的每一个都是绝缘栅晶体管,并包括第一种晶体管,所述第一种晶体管具有要施加的等于或高于第一值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个是绝缘栅晶体管,并包括第二种晶体管,所述第二种晶体管具有要施加的等于或低于比所述第一值低的第二值的栅极电势差的最大值。多个模拟信号处理电路中的每一个不包括具有要施加的不比第二值高的栅极电势差的最大值的绝缘栅晶体管。 |
申请公布号 |
CN104754254A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201410808890.9 |
申请日期 |
2014.12.23 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
国米和夫;大贯裕介;成濑裕章;楠川将司;广田克范;远藤信之;山崎和男;小林広明 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
袁玥 |
主权项 |
在单一半导体衬底上具有像素电路单元和外围电路单元的成像设备,所述成像设备包括:在所述像素电路单元中以矩阵形式排列的多个像素电路,所述多个像素电路中的每一个包括光电转换元件、被配置成转移在所述光电转换元件中生成的电载流子的转移元件,以及被配置为基于在所述光电转换元件中生成的所述电载流子而生成信号的放大元件;以及多个模拟信号处理电路,每一个模拟信号处理电路在外围电路单元中是为所述像素电路的每一列而提供的,所述多个模拟信号处理电路中的每一个被配置成处理从对应的像素电路输出的模拟信号;以及在所述外围电路单元中提供的并被配置成处理数字信号的数字信号处理单元,其中,所述多个像素电路中的每一个包括第一种晶体管,所述第一种晶体管是绝缘栅场效应晶体管并且其栅极的电势和其体的电势之间的电势差的最大值等于或高于第一值,其中,所述多个模拟信号处理电路中的每一个包括第二种晶体管,所述第二种晶体管是绝缘栅场效应晶体管,并且其栅极的电势和其体的电势之间的电势差的最大值等于或低于第二值,所述第二值低于所述第一值,并且所述多个模拟信号处理电路中的每一个不包括其栅极的电势和其体的电势之间的电势差的最大值高于所述第二值的绝缘栅场效应晶体管,其中,所述数字信号处理单元包括第三种晶体管,所述第三种晶体管是绝缘栅晶体管,并且其栅极的电势和其体的电势之间的电势差的最大值等于或低于第三值,所述第三值低于所述第二值,并且所述数字信号处理单元不包括其栅极的电势和其体的电势之间的电势差的最大值高于所述第三值的绝缘栅场效应晶体管,以及其中,所述转移元件是所述第一种晶体管。 |
地址 |
日本东京 |