极低电阻率钨之沉积方法;METHOD FOR DEPOSITING EXTREMELY LOW RESISTIVITY TUNGSTEN

摘要

在半导体处理中沉积极低电阻率之钨的方法系揭露于此。本方法涉及在钨沉积程序期间的不同时间点对基板退火，以达成具有实质上较低电阻率的均匀钨层。