发明名称 一种矽通孔刻蚀装置
摘要 一种矽通孔刻蚀装置,包括:反应腔,基座,射频功率发生装置和反应气体供气系统;所述基座设置在反应腔内, 反应气体供气系统供应刻蚀气体和沉积气体到反应腔内,射频功率发生装置施加射频功率到反应腔内;待处理基片设置在所述基座上,其特征在于所述反应气体供气系统包括刻蚀气体供应管道和沉积气体供应管道,所述刻蚀气体供应管道通过一个刻蚀气体阀门连接到第一反应气体输入端;所述沉积气体供应管道通过一个沉积气体阀门连接到第二反应气体输入端;所述刻蚀气体供应管道联通到一个刻蚀气体喷口向反应腔喷入刻蚀气体,所述沉积气体供应管道联通到一个沉积气体喷口,向反应腔喷入沉积气体。
申请公布号 TW201525171 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW103142653 申请日期 2014.12.08
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 倪 图强;李俊良
分类号 C23C14/46(2006.01);C23C14/54(2006.01);H01L21/311(2006.01) 主分类号 C23C14/46(2006.01)
代理机构 代理人 林志青
主权项
地址 中国大陆 CN