奈米线电晶体之内部间隔物及其制造方法;INTERNAL SPACERS FOR NANOWIRE TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

摘要

本说明之一种奈米线电晶体可能生产具有藉由在其制造期间使用牺牲间隔物所形成的内部间隔物。一旦形成了奈米线电晶体，就可能移除牺牲间隔物，其(分别)系在电晶体闸极与源极和汲极之间的位置。可能接着移除在奈米线电晶体的通道奈米线之间的牺牲材料且可能沉积一介电材料以填充在通道奈米线之间的间隔。可能移除不在通道奈米线之间的介电材料以形成内部间隔物。可能接着相邻于内部间隔物和电晶体通道奈米线地形成外部间隔物，其(分别)系在电晶体闸极与源极和汲极之间的位置。