发明名称 Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法
摘要 <p><P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prepare a Cu-Ga alloy sputtering target with a small oxygen content. <P>SOLUTION: Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method. <P>COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT</p>
申请公布号 JP5740891(B2) 申请公布日期 2015.07.01
申请号 JP20100219416 申请日期 2010.09.29
申请人 发明人
分类号 C23C14/34;C22C1/04;C22C9/00 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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