利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管及其制备方法，其在有源区包括位于所述有源区最外圈的桥接元胞环，耐压保护区内包括至少一个耐压环，耐压保护区内邻近桥接元胞环的耐压环形成桥接耐压环，所述桥接耐压环与桥接元胞环相平行；桥接耐压环采用沟槽结构，桥接元胞环采用沟槽结构，所述有源区金属层与耐压区金属层接触并电连接，且桥接元胞沟槽内的元胞导电多晶硅通过有源区金属层以及耐压区金属层与桥接耐压沟槽内的耐压导电多晶硅保持等电位。本发明耐压能力强，耐压可靠性高，制作工艺简单，并且终端保护区占用芯片整体面积的比重更低，具有极高的性价比，适宜于批量生产。

主权项

一种利用电荷耦合实现耐压的肖特基二极管，在所述肖特基二极管的俯视平面上，包括位于半导体基板的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外圈并环绕包围所述有源区，终端保护区内包括邻接有源区的耐压保护区；在所述肖特基二极管的截面上，所述半导体基板包括位于上方的漂移区以及位于下方的衬底，所述衬底邻接漂移区，漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；其特征是：在所述肖特基二极管的俯视平面上，有源区包括位于所述有源区最外圈的桥接元胞环，耐压保护区内包括至少一个耐压环，耐压保护区内邻近桥接元胞环的耐压环形成桥接耐压环，所述桥接耐压环与桥接元胞环相平行；在所述肖特基二极管的截面上，桥接耐压环采用沟槽结构，所述桥接耐压沟槽由第一主面垂直向下延伸，桥接耐压沟槽的延伸深度小于漂移区的厚度，桥接耐压沟槽的内壁及底壁覆盖有耐压绝缘氧化层，在覆盖有耐压绝缘氧化层的桥接耐压沟槽内填充有耐压导电多晶硅；在桥接耐压沟槽的槽口覆盖绝缘介质层，且所述绝缘介质层还覆盖在终端保护区第一主面上的耐压绝缘氧化层上，在所述绝缘介质层上设置耐压区金属层；在所述肖特基二极管的截面上，桥接元胞环采用沟槽结构，所述桥接元胞沟槽由第一主面垂直向下延伸，桥接元胞沟槽的延伸深度小于漂移区的厚度，桥接元胞沟槽的内壁及底壁覆盖有元胞绝缘氧化层，在覆盖有元胞绝缘氧化层的桥接元胞沟槽内填充有元胞导电多晶硅；所述元胞导电多晶硅与有源区第一主面上的有源区金属层电连接，且桥接元胞沟槽内的元胞导电多晶硅通过有源区金属层与位于桥接元胞环内圈元胞内的元胞导电多晶硅电连接；所述有源区金属层与耐压区金属层电连接，且桥接元胞沟槽内的元胞导电多晶硅与桥接耐压沟槽内的耐压导电多晶硅保持等电位。