发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件的制造方法。首先,在衬底上形成介电层,所述介电层包括第一部分与第二部分,第一部分邻接于衬底,第二部分邻接于第一部分。接着,以三氟化氮处理介电层,移除介电层的第二部分,暴露出介电层的第一部分。另外本发明还提供了一种以该方法制造的半导体元件。通过本发明的半导体元件的制造方法,可有效移除介电层的表面缺陷,大幅降低介电层表面的粗糙度,以及增进薄膜堆叠间的粘合度。换言之,本发明的半导体元件可形成表面缺陷少、粗糙度低以及与其他材料层之间的粘合度高的介电层,以大幅提升元件的效能。 | ||
申请公布号 | CN104752315A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
申请号 | CN201310727475.6 | 申请日期 | 2013.12.25 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱建岚 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 一种半导体元件的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:提供一衬底;在该衬底上形成一介电层,该介电层包括第一部分与第二部分,该第一部分邻接于该衬底,该第二部分邻接于该第一部分;以及以三氟化氮处理该介电层,移除该介电层的该第二部分,暴露出该介电层的该第一部分。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |