互连层、其制作方法及半导体器件

摘要

本申请公开了一种互连层、其制作方法及半导体器件。其中，互连层的制作方法包括：在衬底上形成具有通孔的介质层，并在通孔中填充形成金属填充部，以及在介质层和金属填充部上形成阻挡层的步骤，其中在形成阻挡层的步骤之前，还包括对金属填充部进行表面处理的步骤，该步骤包括：对金属填充部进行Si掺杂处理，以在金属填充部的表面形成Si掺杂区；以及对金属填充部表面的Si掺杂区进行离子轰击处理。该制作方法在金属填充部上形成了具有Si悬挂键的粗糙表面，从而使得金属填充部与阻挡层之间的结合更加紧密，进而提高了金属填充部和阻挡层之间的粘结力，提高了互连层的可靠性。

主权项

一种互连层的制作方法，包括在衬底上形成具有通孔的介质层，并填充所述通孔形成金属填充部，以及在所述介质层和金属填充部上形成阻挡层的步骤，其特征在于，在形成所述阻挡层之前，还包括对所述金属填充部进行表面处理的步骤，对所述金属填充部进行表面处理的步骤包括：对所述金属填充部进行Si掺杂处理，以在所述金属填充部的表面形成Si掺杂区；以及对所述金属填充部表面的Si掺杂区进行离子轰击处理。