| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有垫氧化层；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶部高于所述半导体衬底的表面；采用各向异性刻蚀工艺同时去除所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底表面的部分，所述各向异性刻蚀工艺采用的蚀刻气体包含NF<sub>3</sub>，并且还包含NH<sub>3</sub>和H<sub>2</sub>的至少其中之一。包含NF<sub>3</sub>和NH<sub>3</sub>（H<sub>2</sub>）的各向异性刻蚀工艺能够降低蚀刻后的表面粗糙度，沟槽隔离结构的顶部平坦，不会出现尖凸，从而防止后续形成在浅沟槽隔离结构上的各层结构表面出现尖凸，进而防止电场不均匀或者尖端放电等不良后果，最终提高半导体器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104752310A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310738990.4 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 潘周君 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有垫氧化层；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶部高于所述半导体衬底的表面；采用各向异性刻蚀工艺同时去除所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构高出所述半导体衬底表面的部分，所述各向异性刻蚀工艺采用的蚀刻气体包含NF<sub>3</sub>，并且还包含NH<sub>3</sub>和H<sub>2</sub>的至少其中之一。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||