| 发明名称 | 一种运动传感器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种运动传感器的制备方法，提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。在本发明所述方法在在填充过程中不会形成孔洞，提高了器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104743501A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310743292.3 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 谢红梅;许继辉;于佳 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种运动传感器的制备方法，包括：提供基底，所述基底上形成有CMOS器件；在所述基底上形成底部电极以及位于所述底部电极上方的MEMS衬底，并在所述底部电极和所述MEMS衬底间形成空腔；蚀刻所述MEMS衬底至所述底部电极，以形成深通孔，进而露出所述底部电极；蚀刻所述深通孔的顶部，以扩大所述深通孔顶部开口的关键尺寸；在所述深通孔的侧壁上形成绝缘层；在所述深通孔内沉积金属材料，然后蚀刻去除所述深通孔顶部沉积的所述金属材料，以保持所述开口具有大的关键尺寸。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||