发明名称 一种具有高线性度的MOS开关
摘要 本实用新型公开了一种具有高线性度的MOS开关,其包括:五个辅助开关S1、S2、S3、S4、S5,一个电容C和一个主开关管M1;其中:辅助开关S1分别与主开关管M1的源极和电容C的A端相连接,辅助开关S2分别与主开关管M1的栅极和电容C的B端相连接,辅助开关S3分别与地电压VSS和电容C的A端相连接,辅助开关S4分别与电源电压VDD和电容C的B端相连接,辅助开关S5分别与主开关管M1的栅极和地电压VSS相连接,且主开关管M1的源极与输入电压相连接,主开关管M1的漏极与输出电压相连接。本实用新型可实现高线性度,能满足高精度开关电容模数转换器的整体性能要求。
申请公布号 CN204442347U 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201520237095.9 申请日期 2015.04.17
申请人 上海工程技术大学 发明人 邹睿
分类号 H03M1/12(2006.01)I 主分类号 H03M1/12(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 何葆芳
主权项 一种具有高线性度的MOS开关,其特征在于,包括:五个辅助开关S1、S2、S3、S4、S5,一个电容C和一个主开关管M1;其中:辅助开关S1分别与主开关管M1的源极和电容C的A端相连接,辅助开关S2分别与主开关管M1的栅极和电容C的B端相连接,辅助开关S3分别与地电压VSS和电容C的A端相连接,辅助开关S4分别与电源电压VDD和电容C的B端相连接,辅助开关S5分别与主开关管M1的栅极和地电压VSS相连接,且主开关管M1的源极与输入电压相连接,主开关管M1的漏极与输出电压相连接。
地址 201620 上海市松江区龙腾路333号