发明名称 |
一种具有高线性度的MOS开关 |
摘要 |
本实用新型公开了一种具有高线性度的MOS开关,其包括:五个辅助开关S1、S2、S3、S4、S5,一个电容C和一个主开关管M1;其中:辅助开关S1分别与主开关管M1的源极和电容C的A端相连接,辅助开关S2分别与主开关管M1的栅极和电容C的B端相连接,辅助开关S3分别与地电压VSS和电容C的A端相连接,辅助开关S4分别与电源电压VDD和电容C的B端相连接,辅助开关S5分别与主开关管M1的栅极和地电压VSS相连接,且主开关管M1的源极与输入电压相连接,主开关管M1的漏极与输出电压相连接。本实用新型可实现高线性度,能满足高精度开关电容模数转换器的整体性能要求。 |
申请公布号 |
CN204442347U |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201520237095.9 |
申请日期 |
2015.04.17 |
申请人 |
上海工程技术大学 |
发明人 |
邹睿 |
分类号 |
H03M1/12(2006.01)I |
主分类号 |
H03M1/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
一种具有高线性度的MOS开关,其特征在于,包括:五个辅助开关S1、S2、S3、S4、S5,一个电容C和一个主开关管M1;其中:辅助开关S1分别与主开关管M1的源极和电容C的A端相连接,辅助开关S2分别与主开关管M1的栅极和电容C的B端相连接,辅助开关S3分别与地电压VSS和电容C的A端相连接,辅助开关S4分别与电源电压VDD和电容C的B端相连接,辅助开关S5分别与主开关管M1的栅极和地电压VSS相连接,且主开关管M1的源极与输入电压相连接,主开关管M1的漏极与输出电压相连接。 |
地址 |
201620 上海市松江区龙腾路333号 |