半导体装置

摘要

本发明的实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在大致平行于上述第一半导体层主面的方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第五半导体层表面贯通上述第四半导体层地与上述第二半导体层相连的槽内；第一主电极，与上述第一半导体层连接；第二主电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间。上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；第一导电型的第二半导体层和第二导电型的第三半导体层，在沿着大致平行于上述第一半导体层主面的第一方向上交替地设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层和上述第三半导体层之上；第一导电型的第五半导体层，选择性地设置在上述第四半导体层的表面上；多个控制电极，与上述第五半导体层、上述第四半导体层、上述第二半导体层经由绝缘膜分隔；第一电极，与上述第一半导体层连接；第二电极，与上述第四半导体层和上述第五半导体层连接；和第一导电型的第六半导体层，设置在上述第四半导体层与第二半导体层之间，上述第六半导体层的底面高于各控制电极的底面，上述第六半导体层的杂质浓度高于上述第二半导体层的杂质浓度，上述第六半导体层的底面与上述第四半导体层的底面之间的距离，比各控制电极的下端与上述第四半导体层的底面之间的距离短，上述控制电极沿着上述第一方向被隔开，其间距小于在上述第一方向上交替设置的第二半导体层之间的间距和第三半导体层之间的间距。