发明名称 |
电气、电子部件用铜合金材料及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种电气、电子部件用铜合金材料及其制造方法,该铜合金具有高强度和高导电性,并且在半蚀刻时也可确保均匀的蚀刻性。本发明的电气、电子部件用铜合金材料中,所述铜合金含有0.05~0.5质量%的Fe、0.05~0.5质量%的Ni、0.02~0.2质量%的P,Fe及Ni的合计与P的质量比(Fe十Ni)/P为3~10,Fe与Ni的质量比Fe/Ni为0.8~1.2,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质;铜合金中包含的粒径为10nm以上的晶出物及析出物之中,粒径为100nm以上的晶出物及析出物的个数的比例为1.0%以下。 |
申请公布号 |
CN102286675B |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201110053297.4 |
申请日期 |
2011.03.03 |
申请人 |
株式会社SH铜业 |
发明人 |
山本佳纪;萩原登 |
分类号 |
C22C9/05(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
C22C9/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
钟晶;李昆岐 |
主权项 |
一种电气、电子部件用铜合金材料,其特征在于,所述铜合金含有0.05~0.5质量%的Fe、0.05~0.5质量%的Ni、0.02~0.2质量%的P,Fe及Ni的合计与P的质量比(Fe+Ni)/P为3~10,Fe与Ni的质量比Fe/Ni为0.8~1.2,剩余部分包含Cu及不可避免的杂质,在所述铜合金中包含的粒径为10nm以上的晶出物及析出物之中,粒径为100nm以上的晶出物及析出物的个数的比例为1.0%以下,所述晶出物及析出物包含在作为母相的铜之中生成的由合金元素、化合物构成的第2相。 |
地址 |
日本茨城县 |