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发明名称
控制薄膜应力及其晶相之缓冲层及其制备方法
摘要
本发明系提供压力式喷雾热解成膜技术,采用矽烷类有机混合溶液包含三乙基矽烷(Triethylsilane,TES)及四乙氧基矽烷(Tetraethyl orthosilicate,TEOS)作为前驱物,利用适当的喷涂压力将溶液雾化成微米大小(~7um)的雾滴,用氮气携带至不锈钢基板表面产生热解及化学反应,形成厚度50nm至500nm具有氧化矽结构之缓冲层。针对CIGS太阳能电池为例,沉积钼薄膜于不锈钢基板表面之缓冲层上,能有效改善其光电性质。针对薄膜应力与结晶从优取向,此缓冲层及制备方法提供操作人员可以快速判断并调整制程方向,达到省时及降低成本的目的以符合产业界所需之要求。
申请公布号
TW201526261
申请公布日期
2015.07.01
申请号
TW102147333
申请日期
2013.12.20
申请人
国家中山科学研究院 NATIONAL CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人
胡松城 HU, SUNG CHENG;卢永添 LU, YUNG TIEN;彭万轩 PENG, WAN HUSAN;利定东 LI, TING TUNG;曾千洧 TSENG, CHIEN WEI
分类号
H01L31/042(2014.01);H01L31/0392(2006.01);H01L21/208(2006.01)
主分类号
H01L31/042(2014.01)
代理机构
代理人
主权项
地址
桃园市龙潭区中正路佳安段481号 TW
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