发明名称 |
电源半导体装置及其制造方法;POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
摘要 |
本发明提供一种电源半导体装置及其制造方法。上述电源半导体装置包括一基板;一主动层,设置于上述基板上;一闸极,设置于上述主动层上;一第一电极和一第二电极,设置于上述主动层上,且位于上述闸极的二个相对侧;一第一金属图案,耦接至上述第一电极;一第二金属图案,耦接至上述第二电极;一第一绝缘层,设置于上述第一金属图案和上述第二金属图案上;一第三金属图案,覆盖上述第一绝缘层,耦接至上述第二金属图案,其中上述第三金属图案和上述第一绝缘层之间的一界面为一实质平坦表面。 |
申请公布号 |
TW201526241 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW103126342 |
申请日期 |
2014.08.01 |
申请人 |
台达电子工业股份有限公司 DELTA ELECTRONICS INC. |
发明人 |
林立凡 LIN, LI FAN;廖文甲 LIAO, WEN CHIA |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
桃园市龟山区山莺路252号 TW |