半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

本揭露提供一种半导体装置，包括基底；控制闸极，设于基底上，其中控制闸极具有第一高度；记忆闸极，设于基底上且邻近控制闸极，其中记忆闸极具有低于第一高度的第二高度；闸极间介电层，设于控制闸极与记忆闸极之间；侧壁间隔物，设于控制闸极与记忆闸极之侧壁；及顶部间隔物，设于记忆闸极之部分顶部。本揭露亦提供此半导体装置之制造方法。