发明名称 |
微电子晶体接点及其制造方法;MICROELECTRONIC TRANSISTOR CONTACTS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME |
摘要 |
本揭示的一种电晶体接点藉由下述形成:形成穿过配置于微电子基底上的层间介电层之通孔,其中,通孔从层间介电层的第一表面延伸至微电子基底,形成通孔侧壁及曝露部份微电子基底。形成保形接点材料层为相邻于曝露的部份微电子基底、至少一通孔侧壁、及层间介电质第一表面。形成在通孔内的蚀刻阻隔栓接近微电子基底。移除未由蚀刻阻隔栓保护的接点材料层,随后移除蚀刻阻隔栓以及以导电材料填充通孔。 |
申请公布号 |
TW201526231 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW103135975 |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION |
发明人 |
圣阿莫 安东尼 ST. AMOUR, ANTHONY;史泰格渥德 约瑟夫 STEIGERWALD, JOSEPH M. |
分类号 |
H01L29/66(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/66(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |