发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种小型化、高密度化发展之半导体装置,其可将内引线间连接。;本发明之实施形态之半导体装置包含:复数根引线,其等包括内引线及外引线;半导体晶片,其设置于复数根引线上;间隔件,其介于半导体晶片与复数根引线之间,于半导体晶片之背面与复数根引线之间形成间隙;导线,其设置于间隙,且于半导体晶片之背面下将内引线间电性连接;及第1绝缘层,其设置于上述半导体晶片与上述导线之间。 |
申请公布号 |
TW201526185 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW103122856 |
申请日期 |
2014.07.02 |
申请人 |
东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
石井齐 ISHII, HITOSHI |
分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |