发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种小型化、高密度化发展之半导体装置,其可将内引线间连接。;本发明之实施形态之半导体装置包含:复数根引线,其等包括内引线及外引线;半导体晶片,其设置于复数根引线上;间隔件,其介于半导体晶片与复数根引线之间,于半导体晶片之背面与复数根引线之间形成间隙;导线,其设置于间隙,且于半导体晶片之背面下将内引线间电性连接;及第1绝缘层,其设置于上述半导体晶片与上述导线之间。
申请公布号 TW201526185 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW103122856 申请日期 2014.07.02
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 石井齐 ISHII, HITOSHI
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP