| 主权项 |
一种功率装置，包括：半导体基底；功率电晶体，形成于该半导体基底中，其中该功率电晶体包括汲极区、源极区、闸极区以及耦接该汲极区的汲极金属；沟槽障壁，形成于该功率电晶体的汲极区中，其中该沟槽障壁包括第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽和第二沟槽由该汲极区的一部分隔开；以及肖特基二极体，形成于该第一沟槽和第二沟槽之间，其中该肖特基二极体具有阳极和阴极，该阳极包括该汲极金属，该阴极包括该汲极区的一部分；其中，该第一沟槽和第二沟槽采用导电材料填充，该导电材料透过介电材料与该功率电晶体的汲极区隔离，并且该第一沟槽和第二沟槽中填充的该导电材料与该汲极金属接触。
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