制作快闪记忆体元件之方法

主权项

一种制作快闪记忆体元件之方法，包括：提供一基底，其中该基底包括一半导体基底；于该基底上形成一堆叠闸结构(stacked gate structure)；于该堆叠闸结构上形成一第一氧化层；于形成该第一氧化层之后，在该基底中形成一源极区，且形成该源极区的步骤包括：于该第一氧化层上进行一自行对准源极蚀刻(self-aligned-source etch,SAS etch)制程，以露出部分该基底；以及进行一源极布植制程，于露出的部分该基底中形成该源极区；以及在形成该源极区之后，于该堆叠闸结构周围形成一氮化物间隙壁(nitride spacer)，其中于形成该第一氧化层之后且于形成该氮化物间隙壁之前，进行一氮原子导入处理。