氮化物半导体及氮化物半导体之结晶成长方法暨氮化物半导体发光元件

主权项

一种氮化物半导体之结晶成长方法，系于至少一主面为非极性氮化物之基体的氮化物主面上，使氮化物半导体进行结晶成长的方法，其具备有：升温步骤，系包含于上述基体之氮化物主面曝露于含惰性气体之环境中的状态下，将该基体升温至既定温度的期间tA；第1成长步骤，系在将上述基体之氮化物主面曝露于含惰性气体之环境中的状态下，不于该基体之氮化物主面上有意地供给矽(Si)原料，使第1氮化物半导体层进行磊晶成长；与第2成长步骤，系在将上述第1氮化物半导体层表面曝露于含惰性气体之环境中的状态下，一边于该第1氮化物半导体层上供给n型掺杂物原料，一边使第2氮化物半导体层进行磊晶成长；其中，上述升温步骤中之期间tA中，惰性气体成分相对于构成主气流之总气体的流量比为0.5以上且1.0以下。