半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成若干栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中形成沟槽；在所述栅极结构两侧的沟槽中填充用于形成源区或漏区的应力层，所述应力层凸出所述衬底；对所述应力层进行脉冲刻蚀，使所述应力层与所述衬底相互齐平。本发明的技术方案具有以下优点：在形成应力层后，通过对所述应力层进行脉冲刻蚀，使半导体器件中的应力层的过量填充的部分能够尽量被去除；所述脉冲刻蚀能够调节对同一晶圆上不同尺寸的应力层的刻蚀量，从而使高出衬底表面不同高度的应力层被刻蚀的量不同，进而使这些应力层的高度尽量都与衬底表面相互齐平。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成若干栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中形成沟槽；在所述栅极结构两侧的沟槽中填充用于形成源区或漏区的应力层，所述应力层凸出所述衬底；对所述应力层进行脉冲刻蚀，使所述应力层与所述衬底相互齐平。