| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅半导体器件(1)，具有碳化硅衬底(10)、栅绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)包括第一杂质区(17)、阱区(13)和第二杂质区(14)，第一杂质区(17)具有第一导电类型，阱区(13)接触第一杂质区(17)并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型，第二杂质区(14)通过阱区(13)与第一杂质区(17)分开并且具有第一导电类型。栅绝缘膜(15)接触第一杂质区(17)和阱区(14)。栅电极(27)接触栅绝缘膜(15)并且相对于栅绝缘膜(15)与阱区(14)相对布置。向栅电极(27)施加的栅驱动电压的一半电压下的特征导通电阻小于所述栅驱动电压下的特征导通电阻的两倍。因此，可提供能够改进开关特性的碳化硅半导体器件(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN104756256A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201380056368.3 | 申请日期 | 2013.11.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 日吉透;增田健良;和田圭司;筑野孝 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括第一杂质区、阱区和第二杂质区，所述第一杂质区具有第一导电类型，所述阱区接触所述第一杂质区并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述第二杂质区通过所述阱区与所述第一杂质区分开并且具有所述第一导电类型；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜接触所述第一杂质区和所述阱区；以及栅电极，所述栅电极接触所述栅绝缘膜并且相对于所述栅绝缘膜布置在所述阱区的相反侧，向所述栅电极施加的栅驱动电压的一半的电压下的特征导通电阻小于所述栅驱动电压下的所述特征导通电阻的两倍。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||