发明名称 METHOD FOR FORMING A DOPED SILICON INGOT OF UNIFORM RESISTIVITY
摘要 <p>실리콘 잉곳을 형성하는 방법은, 격자간 산소를 함유하고 가변 전기 비저항의 실리콘 잉곳을 제공하는 단계 (F1), 실리콘 잉곳의 상이한 영역들에서 격자간 산소 농도를 결정하는 단계 (F2), 전기 비저항의 타겟 값에 도달하기 위하여 상이한 영역들에서 생성될 열적 도너들의 농도를 계산하는 단계 (F3), 및 열적 도너들을 형성하기 위하여 실리콘 잉곳의 상이한 영역들을 어닐링하는 단계 (F5) 를 포함한다. 각각의 영역에서의 어닐링 온도는 그 영역의 열적 도너 및 격자간 산소 농도들로부터 그리고 미리정의된 어닐링 시간으로부터 결정된다 (F4).</p>
申请公布号 KR20150074048(A) 申请公布日期 2015.07.01
申请号 KR20157012616 申请日期 2013.10.23
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 VEIRMAN JORDI;DUBOIS SEBASTIEN;ENJALBERT NICOLAS
分类号 C30B29/06;C30B33/02 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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