| 发明名称 | NOR型FLASH数据恢复的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种NOR型FLASH数据恢复的方法；其中所述方法包括：步骤1a、NOR型FLASH接收全芯片数据恢复指令；步骤2a、根据所述全芯片数据恢复指令，记录所述存储块中阈值电压大于第一阈值的存储单元；步骤3a、记录所述存储块中阈值电压小于第二阈值的存储单元，其中第二阈值大于第一阈值；步骤4a、对所述存储块中阈值电压小于第二阈值且大于第一阈值的存储单元进行数据恢复；所述数据恢复为提高阈值电压小于第二阈值且大于第一阈值存储单元的阈值电压。本发明技术方案的采用，恢复了存储单元存储的数据，进而提升了NOR型FLASH的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104751898A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310744364.6 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 苏如伟;洪杰;王林凯;胡洪;舒清明 |
| 分类号 | G11C29/44(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬 |
| 主权项 | 一种NOR型FLASH数据恢复的方法，其特征在于，包括：步骤1a、NOR型FLASH接收全芯片数据恢复指令；步骤2a、根据所述全芯片数据恢复指令，记录所述存储块中阈值电压大于第一阈值的存储单元；步骤3a、记录所述存储块中阈值电压小于第二阈值的存储单元，其中所述第二阈值大于第一阈值；步骤4a、对所述存储块中阈值电压小于第二阈值且大于第一阈值的存储单元进行数据恢复；所述数据恢复为提高阈值电压小于第二阈值且大于第一阈值存储单元的阈值电压。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||