半导体器件及其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极和侧墙；对半导体衬底上欲形成源漏区的区域进行刻蚀，形成第一Sigma形凹陷；沿第一Sigma形凹陷的侧壁进行硅锗外延生长，形成第一硅锗外延层；对第一硅锗外延层进行部分刻蚀，形成第二Sigma形凹陷；沿第二Sigma形凹陷的侧壁进行硅锗外延生长，形成第二硅锗外延层。本申请的制作方法对已经形成的第一硅锗外延层进行进一步的刻蚀，形成第二Sigma形凹陷，进而在第二Sigma形凹陷中外延生长形成第二硅锗外延层时，能够控制所形成的第二硅锗外延层的位置和形状，从而使具有其的半导体器件有良好的电性能和数据传输性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极和侧墙；对所述半导体衬底上欲形成源漏区的区域进行刻蚀，形成第一Sigma形凹陷；沿所述第一Sigma形凹陷的侧壁进行硅锗外延生长，形成第一硅锗外延层；对所述第一硅锗外延层进行部分刻蚀，形成第二Sigma形凹陷；沿所述第二Sigma形凹陷的侧壁进行硅锗外延生长，形成第二硅锗外延层。