| 发明名称 | 基片刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室中通入主刻蚀气体和辅助气体，所述辅助气体为可提高轰击性和/或刻蚀选择比的气体或气体组合，并随着本步骤的工艺时间的增加，按预定规则调节一种或多种工艺参数；形貌修饰步骤，用于修饰基片上刻蚀图形的形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其在能够获得理想的基片上刻蚀图形的形貌的前提下，可以提高工艺的可移植性和重复性。 | ||
| 申请公布号 | CN104752153A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310738342.9 | 申请日期 | 2013.12.29 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 李宗兴;谢秋实 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：主刻蚀步骤，向反应腔室中通入主刻蚀气体和辅助气体，所述辅助气体为可提高轰击性和/或刻蚀选择比的气体或气体组合，并随着本步骤的工艺时间的增加，按预定规则调节一种或多种工艺参数；形貌修饰步骤，用于修饰基片上刻蚀图形的形貌。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||