| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层、以及位于栅介质层和栅电极层两侧的侧壁和衬底表面的第一侧墙；在所述栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在所述源区和漏区表面形成第一覆盖层；在形成所述第一覆盖层之后，去除所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙之后，在所述第一覆盖层表面形成第二覆盖层。所形成的晶体管的性能提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104752216A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745740.3 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构包括：位于衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层、以及位于栅介质层和栅电极层两侧的侧壁和衬底表面的第一侧墙；在所述栅极结构两侧的衬底内形成源区和漏区；在所述源区和漏区表面形成第一覆盖层；在形成所述第一覆盖层之后，去除所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙之后，在所述第一覆盖层表面形成第二覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||