发明名称 |
一种等离子体刻蚀方法和系统 |
摘要 |
本发明提供了一种等离子体刻蚀方法和系统,所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期,每个刻蚀周期包括等离子刻蚀阶段和中和电荷阶段,在在刻蚀过程中,部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部;在中和电荷阶段,停止等离子体刻蚀,至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内,向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子,所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷;通过电荷中和消除了由于沉积电荷产生的内建电场对等离子体的影响,保证了等离子体刻蚀的准确性,保证了刻蚀图形的准直。 |
申请公布号 |
CN104752256A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310728956.9 |
申请日期 |
2013.12.25 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
杨平;梁洁;万磊 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种等离子体刻蚀方法,其特征在于,所述刻蚀方法包括若干个刻蚀周期,每个刻蚀周期包括以下步骤:等离子体对放置在反应腔室内的基底进行等离子体刻蚀,其中,在刻蚀过程中,部分电荷附着在基底表面和/或刻蚀图形的内部;停止等离子体刻蚀;至少在所述停止等离子体刻蚀过程的部分时间段内,向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子,所述带预定导电类型电荷的离子用于中和附着在基底表面和/或刻蚀图形内部的电荷;至少在所述向反应腔室内通入带预定导电类型电荷的离子的过程的部分时间段内在反应腔室内的两电极之间形成直流电场,所述直流电场用于将所述带预定导电类型电荷的离子推向基底表面和/或刻蚀图形内部。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |