发明名称 | 外延生长装置 | ||
摘要 | 本发明涉及外延生长装置。在本文中公开了一种用于在晶片的表面上生长外延层的外延生长装置。该装置包括:室,在其中容纳晶片;上灯组,其包括在室上方布置成环的多个加热灯;下灯组,其包括在室下方提供的多个加热灯;反射部件,其设于上灯组的环内,反射部件具有大致圆筒形状;以及附加反射部件,其设于反射部件内,附加反射部件包括大致平行于晶片的表面的反射表面。附加反射部件以接近反射部件的下端部分的开口的至少一部分的方式提供。 | ||
申请公布号 | CN104752277A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
申请号 | CN201410823762.1 | 申请日期 | 2014.12.26 |
申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 吉武贯;冈本王孝;东海林春树 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 严志军;李婷 |
主权项 | 一种用于在晶片的表面上生长外延层的外延生长装置,所述装置包括:室,在其中容纳有所述晶片;上灯组,其包括在所述室上方布置成环的多个加热灯;下灯组,其包括在所述室下方提供的多个加热灯;反射部件,其设于所述上灯组的环内,所述反射部件具有大致圆筒形状;以及附加反射部件,其设于所述反射部件内,所述附加反射部件包括大致平行于所述晶片的表面的反射表面,其中,所述附加反射部件以接近所述反射部件的下端部分的开口的至少一部分的方式提供。 | ||
地址 | 日本东京都 |