| 发明名称 | 读写分离的双端口SRAM结构及其单元 | ||
| 摘要 | 一种读写分离的双端口SRAM结构及其单元。其中，SRAM单元包括：耦接的第一反相器与第二反相器，所述第一反相器具有第一存储结点，所述第二反相器具有第二存储结点；与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管，与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管；与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。通过将现有技术中的读传输晶体管与读下拉NMOS管替换为一个读取晶体管，不但减小了读过程的电阻，增大了读电流，还减小了面积，提高了SRAM结构的面积利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN104751878A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745737.1 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王颖倩;李煜;王媛;王楠 |
| 分类号 | G11C11/419(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/419(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种读写分离的双端口SRAM结构单元，包括：第一反相器与第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉PMOS管和第一下拉NMOS管，所述第二反相器包括第二上拉PMOS管和第二下拉NMOS管，所述第一反相器具有第一存储结点，所述第二反相器具有第二存储结点；与所述第一存储结点相连的第一传输晶体管，与所述第二存储结点相连的第二传输晶体管；其特征在于，还包括：与所述第一存储结点或第二存储结点相连的读取晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||