发明名称 |
在离子注入中控制注入诱导的损伤 |
摘要 |
本发明提供一种离子注入系统,该离子注入系统具有配置成向工件提供聚点离子束的离子注入设备,该聚点离子束具有与其相关的射束密度,其中该工件具有与其相关的晶体结构。扫描系统沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描聚点离子束与工件中的一个或多个。还提供控制器,该控制器配置成在工件上的预定位置暴露于聚点离子束时确立工件的预定局部温度。由此在该预定位置获得工件晶体结构的预定局部失序,其中控制器配置成控制聚点离子束的射束密度以及与扫描系统相关的占空比中的一个或多个,从而在工件上的预定位置确立该工件的局部温度。 |
申请公布号 |
CN104756224A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201380043992.X |
申请日期 |
2013.10.30 |
申请人 |
艾克塞利斯科技公司 |
发明人 |
罗纳德·里斯;谢尔盖·孔德拉坚科;舒·佐藤;安德鲁·雷 |
分类号 |
H01J37/304(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种离子注入系统,其包括:离子注入设备,其配置成向工件提供聚点离子束,该聚点离子束具有与其相关的射束密度,其中该工件具有与其相关的晶体结构;扫描系统,其配置成沿一轴或多轴相对于彼此地反复扫描所述聚点离子束与所述工件中的一个或多个;控制器,其配置成在所述工件上的预定位置暴露于所述聚点离子束时确立该工件的预定局部温度,其中在该预定位置确立所述工件晶体结构的预定局部失序,并且该控制器配置成控制所述聚点离子束的射束密度以及与所述扫描系统相关的占空比中的一个或多个,以在所述工件上的所述预定位置确立该工件的局部温度。 |
地址 |
美国马萨诸塞州贝佛利市 |