发明名称 | 一种具有台阶式耦合导体的3dB电桥 | ||
摘要 | 本实用新型涉及一种3dB电桥,尤其是涉及一种具有台阶式耦合导体的3dB电桥,包括两个S形耦合导体:第一耦合导体和第二耦合导体,所述第一和第二耦合导体,按照导体的厚度不同,划分为强耦合区和弱耦合区,所述弱耦合区与强耦合区通过一倾斜过渡段连接;所述第一和第二耦合导体结构相同且上下翻转装配,其中所述第一耦合导体的强耦合区与所述第二耦合导体的强耦合区上下重叠耦合,所述第一耦合导体的弱耦合区与所述第二耦合导体的弱耦合区同处在一个平面上且相互平行,实现侧面耦合。本产品由于采用台阶式耦合导体,显著提高了产品参数,便于调试,降低了生产成本;提高了产品的技术指标,降低了多信号之间的干扰;输入和输出两个端口在腔体的两侧,便于工程安装。 | ||
申请公布号 | CN204441440U | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
申请号 | CN201520108861.1 | 申请日期 | 2015.02.15 |
申请人 | 合肥熠信微波通信有限公司 | 发明人 | 郑志豹 |
分类号 | H01P5/18(2006.01)I | 主分类号 | H01P5/18(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种具有台阶式耦合导体的3dB电桥,包括两个S形耦合导体:第一耦合导体和第二耦合导体,其特征在于所述第一和第二耦合导体,按照导体的厚度不同,划分为强耦合区和弱耦合区,所述弱耦合区与强耦合区通过一倾斜过渡段连接;所述第一和第二耦合导体结构相同且上下翻转装配,其中所述第一耦合导体的强耦合区与所述第二耦合导体的强耦合区上下重叠耦合,所述第一耦合导体的弱耦合区与所述第二耦合导体的弱耦合区同处在一个平面上且相互平行,实现侧面耦合。 | ||
地址 | 246000 安徽省合肥市高新区长江西路669号 |