发明名称 |
包含铜柱结构之积体电路及其制造方法;INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING COPPER PILLAR STRUCTURES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME |
摘要 |
本发明公开一种包含铜柱结构之积体电路及其制造方法。于一示例实施例中,积体电路包括最后金属层以及设置于该最后金属层上方之钝化层,该最后金属层及钝化层二者系设置于形成于半导体基板上之积体电路主动元件上方。该积体电路进一步包括铜柱结构,其系部分设置于该钝化层之第一部分内且位于该最后金属层正上方。该钝化层之该第一部分系由该钝化层之第一及第二侧壁以及该最后金属层之上表面所定义。该铜柱结构包括沿着该第一及第二侧壁以及该最后金属层之该上表面上方所形成之衬里以及该衬里内之铜材料。包括该衬里以及该衬里内之铜材料之铜柱结构进一步延伸至该钝化层之上表面之上一高度。 |
申请公布号 |
TW201526186 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
TW103123585 |
申请日期 |
2014.07.09 |
申请人 |
格罗方德半导体私人有限公司 GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD. |
发明人 |
贝哈卡尔 马希斯 安特 BHATKAR, MAHESH ANANT;陈 元文 TAN, JUAN BOON;刘 威 LIU, WEI;欧沙德 詹 OSWALD, JENS |
分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
新加坡 SG |