| 发明名称 |
简化的闸极优先高介电常数金属闸极制造流程;SIMPLIFIED GATE-FIRST HKMG MANUFACTURING FLOW |
| 摘要 |
本发明涉及简化的闸极优先HKMG制造流程，当依据闸极优先HKMG方法形成场效应电晶体时，在矽化步骤以前必须移除形成于闸极电极的顶部上的覆盖层，从而导致在电晶体的闸极电极及源极和汲极区的表面上形成金属矽化物层。本揭露藉由省略该闸极覆盖移除制程来改进该制造流程。金属矽化物仅形成于源极和汲极区上。接着，藉由形成穿过闸极材料的开孔使闸极金属层的表面暴露来接触闸极电极。 |
| 申请公布号 |
TW201526162 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW103128588 |
申请日期 |
2014.08.20 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 GLOBALFOUNDRIES US INC. |
发明人 |
费拉候史奇 史帝芬 FLACHOWSKY, STEFAN;候尼史奇尔 詹 HOENTSCHEL, JAN;布其克 罗曼 BOSCHKE, ROMAN |
| 分类号 |
H01L21/8238(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 US |
