低α射线铋之制造方法及低α射线铋

摘要

本发明系一种低α射线铋之制造方法及低α射线铋，该低α射线铋之制造方法之特征在于：将铋原料与氧化物原料混合熔解，使铋原料中成为α射线之原因之元素向氧化物中移动，从而使铋之α射线降低。最近之半导体装置受到高密度化及高电容化，故而因来自半导体晶片附近之材料之α射线之影响，产生软错误(soft error)之危险变多。尤其是谋求一种靠近半导体装置使用之材料，其对焊锡材料之高纯度化强烈要求且α射线少。本发明阐明铋之产生α射线之现象，并且提供一种使可适合所要求之材料即降低铋之α射线量的高纯度铋及其制造方法。