| 发明名称 | 基板处理方法及记忆媒体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI490941 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | TW098144876 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 李诚泰;小笠原正宏;伊藤雅大 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 | |
| 主权项 | 一种基板处理方法，系于处理对象层上，对层积有遮罩层及中间层之基板实施蚀刻处理，以透过该中间层及遮罩层而于该处理对象层形成图样形状，其特征在于具有：第1蚀刻步骤，系利用含有CF4气体、CHF3气体及C4F8气体之混合气体作为处理气体，并以处理压力100mTorr(1.33×10Pa)~150mTorr(2.0×10Pa)来蚀刻该中间层；以及第2蚀刻步骤，系以COS气体含有气体作为处理气体来蚀刻该遮罩层；该第2蚀刻步骤系降低孔洞上部形状之线条痕迹的产生，以及抑制底部形状的扭曲。 | ||
| 地址 | 日本 | ||