| 主权项 |
一种用于形成一互补金氧半导体(CMOS)装置的方法，其包括：提供一基板且接着以任何顺序：在该基板内形成具有一第一导电类型的一第一井区域；在该基板内形成具有一第二相反导电类型的一第二井区域，该第二井区域与该第一井区域横向隔开一第一距离；在该基板内于该第一井区域与该第二井区域之间形成该第一导电类型的一第一另一区域，该第一另一区域接近该第二井区域；在该基板内于该第一井区域与该第二井区域之间形成该第二导电类型的一第二另一区域，该第二另一区域接近该第一井区域；在该第二井区域内提供该第一导电类型的第一源极-汲极区域；在该第一井区域内提供该第一导电类型的一第一接触区域；在该第一另一区域内提供该第一导电类型的一第二接触区域；在该第一井区域内提供该第二导电类型的第二源极-汲极区域；在该第二井区域内提供该第二导电类型的一第三接触
区域；在该第二另一区域内提供该第二导电类型的一第四接触区域；且接着欧姆耦合该第二接触区域与该第四接触区域。
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