| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。 | ||
| 申请公布号 | CN104756257A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201380054436.2 | 申请日期 | 2013.10.15 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 | 发明人 | 田尾博昭;前田刚彰;三木绫;钉宫敏洋;安秉斗;具素英;金建熙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张玉玲 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||