发明名称 | 电源箝制静电放电防护电路 | ||
摘要 | 一种电源箝制静电放电防护电路,包括一硅控整流器以及一控制模块,其中硅控整流器电性连接于一高电压准位与一低电压准位之间,以用来承载一电流路径。控制模块并联于硅控整流器,并包含有一P型金氧半场效晶体管、一N型金氧半场效晶体管、至少一输出二极管、一电阻、以及一导通串列。其中,硅控整流器可以是一P型或N型的基底触发硅控整流器。利用此种新颖的电源箝制静电放电防护电路,可达到大幅降低电路的漏电流与省却元件加工面积的功效。 | ||
申请公布号 | CN103219720B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
申请号 | CN201210377767.7 | 申请日期 | 2012.10.08 |
申请人 | 晶焱科技股份有限公司 | 发明人 | 艾飞;柯明道;姜信钦 |
分类号 | H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
主权项 | 一种电源箝制静电放电防护电路,其特征在于,包括:一硅控整流器,连接于一高电压准位与一低电压准位之间,并用以承载一电流路径,其中,该硅控整流器为一P型基底触发硅控整流器;以及一控制模块,并联于该硅控整流器,该控制模块电性连接于该硅控整流器的一触发节点、该高电压准位与该低电压准位;该控制模块包括:一P型金氧半场效晶体管,连接于该高电压准位;一N型金氧半场效晶体管,连接于该低电压准位;至少一输出二极管,连接于该P型金氧半场效晶体管与该N型金氧半场效晶体管之间,其中该P型基底触发硅控整流器的该触发节点连接该至少一输出二极管,且该至少一输出二极管串联于该P型金氧半场效晶体管与该N型金氧半场效晶体管;一电阻,并联于该P型基底触发硅控整流器、该P型金氧半场效晶体管与该N型金氧半场效晶体管,该电阻的一端连接该高电压准位;以及一导通串列,包括至少一连接于该N型金氧半场效晶体管的导通元件,其中该导通串列连接于该电阻的另一端、该P型金氧半场效晶体管与该低电压准位之间。 | ||
地址 | 中国台湾新北市 |